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第三百一十章 未来的万亿美元市场（第1页）

徐申学调控整个仙女山控股下属的半导体设备，材料研体系，甚至动用自己的人脉关系，影响力以及其他资源，进而加了duV浸润式光刻机的大规模量产。

这让海湾科技的hduV-4oo型光刻机的量产度出现了提升。

“今年，我们将会确保为国内各芯片厂商提供至少五十台hduV-4oo光刻机量产型，用于各厂商的芯片生产，同时将会再生产至少五台hduV-5oo型光刻机的试产型号，用于智云微电子，中芯两家厂商的的测试，研工作！”

“为了确保能够做到这一点，我们还将会进一步加大人员的招聘，培养力度！”

海湾科技的ceo王道林，为徐申学如此描绘今年光刻机领域里的生产以及研情况。

“目前我们已经初步解决了5oo型光刻机的套刻精度问题，在子系统的测试中已经能够做到稳定三点五纳米的精度，可以支持十四纳米工艺的量产。”

“接下来我们将会试制一台样机进行整机测试，并在第三季度开始交付台测试样机给智云微电子方面！”

“而更进一步的光刻机研中，我们正在搞套刻精度两点五纳米，用以未来支持七纳米工艺的6oo型号，目前虽然还遇到了一些技术难题，不过我们正在加大力度进行转向的技术攻关，我们争取在未来的两年里解决这个技术难题。”

“只要解决这个两点五纳米的套刻的技术难题，那么我们的光刻机就能够进行高效的，高良率四重曝光，而高良率四重曝光技术则是可以用于等效七纳米工艺的大规模量产！”

“尽管我们和asmL还存在一定的技术差距，但是这种技术差距并不是不可跨越的，毕竟我们已经解决了最难的镜片以及光源部分，还解决了双工作台问题，如今我们只需要稳扎稳打，持续的进行技术优化，逐步提升，就能够把这个套刻精度逐步提升起来！”

徐申学道：“如此看来，我们的duV浸润式光刻机应该是稳了，未来七纳米工艺也问题不大了。”

“那么七纳米工艺以下呢？我们正在搞的6oo型光刻机能否进一步突破极限，做到等效五纳米的芯片？”

王道林此时道：“七纳米工艺问题不大，而五纳米工艺的话虽然理论上可以通过多重曝光，比如八重曝光，使用现有duV浸润式光刻机的134纳米波长的光源，也能用来制造等效5纳米工艺的芯片。”

“但是这需要光刻机提供更高的套刻精度，这样才能够在多重曝光的时候，每一次都对准芯片进行曝光。”

“如果套刻精度不够，那么在进行多重曝光的时候就无法对准，芯片良率就会低到一个非常夸张的程度。”

“按照我们的计算，6oo型光刻机的二点五纳米的套刻精度用来维持七纳米工艺量产是已经算是比较极限的了，到时候哪怕其他各方面的条件都比较理想，估计也就只能做到百分之八十左右的良率，而这还是理论数据，如果受到其他各方面的影响，实际生产的时候可能还达不到这个良率。”

“如果要使用6oo型光刻机，强行生产等效五纳米工艺的芯片，也不是不可以，在理论上是存在这种可能性的，但是我们的这款6oo型光刻机在套刻精度上还不够，强行生产的话，那么良率将会非常低，完全不具备商业价值！”

徐申学听罢后，却是没有露出什么沮丧之类的表情，而是继续翻看着技术，然后道：“七纳米工艺能够解决的话，就不错了。”

“至于五纳米工艺的话，良率低，商用价值低先不谈，关键的是要解决有无问题，我们必须确保哪怕没有euV光刻机，也要能够获得一定的五纳米工艺产能，哪怕它成本极其高昂！”

徐申学对这个等效五纳米工艺，还是比较看重的……在没有euV光刻机的当下里，想要进一步突破工艺制程，那么就需要深挖duV浸润式光刻机的极限了。

不仅仅是自己这边的问题，对面的英特尔和台积电，四星等也存在同样的问题……因为他们也没euV光刻机可用！

原时空里他们可以直接用euV光刻机玩七纳米甚至五纳米，但是这个时空里……徐申学微笑着对他们说：我没得用，你们也不能用！

你们不能抢跑，这不是体面人该做的事！

你们要是不体面，我就帮你们体面！

至于说什么规矩不规矩，事关几千亿美金的电子消费以及半导体市场，背后是一整个电子消费以及半导体产业链，影响数以千万计的就业岗位……

规矩？

老子的火箭弹就是规矩！

现在老老实实的待在原地和我一起玩duV浸润式光刻机……然后我们各自琢磨如何用duV浸润式光刻机生产七纳米甚至五纳米工艺的芯片！

这也挺好玩的不是！

这个时候，如何利用duV浸润式光刻机进一步推进工艺，这就成为了很重要的问题。

实际上在28纳米开始，各半导体厂商就已经开始着手这个问题并进行解决了，使用双重曝光，使用3d晶体管等技术。

这些都是为了在现有duV浸润式光刻机134纳米光源波长的极限下，进一步缩小晶体管尺寸，提升晶体管密度。

智云微电子也不例外，早早就开始搞多重曝光技术以及3d晶体管技术。

如今正在试产的十四纳米工艺，就是采用了双重曝光加上3d晶体管技术。

不过双重曝光也搞不了等效七纳米工艺啊，怎么办？

智云微电子那边提出来了更加复杂的多重曝光工艺，简单上来说，就是他们想要来个力大飞砖，直接上马四重曝光技术，强行实现等效7七纳米的量产。

但是多重曝光技术，得需要光刻机的套刻精度支持。

这也是海湾科技这边继续死磕套刻精度的缘故，在hduV-4oo型号以及5oo型号之后，又迅上马了6oo型号。

此时王道林道：“如果一定要使用duV浸润式光刻机生产五纳米芯片的话，按照我们的计算，如果不考虑良率问题，不计成本的话，使用6oo型号光刻机，勉强也能生产一些等效五纳米工艺的芯片。”

“如果要考虑成本问题，考虑商业应用的话，少说也得搞个一点五纳米套刻精度的光刻机出来，这样才能把良率控制在一定范围内。”

“但是一点五纳米工艺的套刻精度，这个太难了，这个套刻精度我们规划是放在euV光刻机上的，而且还是第二代euV光刻机！”

“我们规划中的第一代euV光刻机，设计采用的还是两纳米的套刻精度呢，设计指标是主要用于等效七纳米工艺的生产。”

“规划中的第二代euV光刻机，才会使用一点五纳米的套刻精度，继而实现等效五纳米的工艺节点！”

听着王道林的话，徐申学道：“euV光刻机这事，还是要加研，争取三年内弄个样机出来！”

王道林道：“样机的话，倒是有一定把握，但是要要距离完全实用化，恐怕会很久！”

“目前我们在euV光刻机的技术推动上，还存在大量需要解决的技术难题。”

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